3SK241 MESFET-N沟道 13V 8.5mA-35mA -3.5V SOT-143 marking/标记 DU 高频应用/低噪声
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 13V \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -6V 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 8.5mA-35mA 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -3.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| High Frequency FETs.GaAs N-Channel MES FET.For VHF-UHF amplification.Features: . Low noise-figure NF. Large power gain PG. Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing. 描述与应用| 高频场效应管 .砷化镓N沟道MES 场效应管. 用于甚高频-超高频放大, 低噪声系数（NF）, 大功率增益PG, 迷你型包装，通过带/盒包装允许缩减集的大小和自动插入.
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| 3SK241 | Panasonic 松下 | 下载 |
| 3SK263-5-TG-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 3SK264-5-TG-E | ON Semiconductor 安森美 | 下载 |
| 3SK292TE85R,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 3SK291TE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 3SK293TE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 3SK294TE85L,F | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 3SK249 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 3SK293 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 3SK232 | Toshiba 东芝 | 下载 |
| 3SK259 | Toshiba 东芝 | 下载 |