INFINEON IGB10N60TATMA1 单晶体管, IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
TrenchStop IGBT ,600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
得捷:
IGBT 600V 20A 110W TO263-3
欧时:
Infineon IGB10N60TATMA1 N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK TO-263封装
贸泽:
IGBT 晶体管 Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop; Tech
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON IGB10N60TATMA1 IGBT Single Transistor, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 Pins
Win Source:
IGBT 600V 20A 110W TO263-3
型号 | 品牌 | 下载 |
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