IRF610B

IRF610B概述

200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary, planar, DMOS technology.

Features

• 3.3A, 200V, RDSon= 1.5Ω@VGS= 10 V

• Low gate charge typical 7.2 nC

• Low Crss typical 6.8 pF

• Fast switching

• 100% avalanche tested

• Improved dv/dt capability


得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET


立创商城:
N沟道 200V 3.3A


Win Source:
200V N-Channel MOSFET


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IRF610B

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