200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary, planar, DMOS technology.
Features
• 3.3A, 200V, RDSon= 1.5Ω@VGS= 10 V
• Low gate charge typical 7.2 nC
• Low Crss typical 6.8 pF
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET
立创商城:
N沟道 200V 3.3A
Win Source:
200V N-Channel MOSFET
型号 | 品牌 | 下载 |
---|---|---|
IRF610B | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
IRF620PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
IRF610A | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
IRF610 | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
IRF6717MTR1PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
IRF6201PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
IRF6216TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
IRF6718L2TR1PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
IRF640NSTRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
IRF6218STRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
IRF6614TR1PBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |