FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDM3622 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.4 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V
UltraFET® MOSFET， Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDM3622, 4.4 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin MicroFET T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin MicroFET T/R
富昌:
FDM3622 系列 100 V 60 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet Power 33
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin MicroFET T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDM3622 MOSFET Transistor, N Channel, 4.4 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33