IS43TR16256A-15HBLI

INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS43TR16256A-15HBLI  芯片, 存储器, SDRAM, DDR3, 4GB, 1333MT/S, FBGA-96

是256Mx16 DDR3 SDRAM, 数据速率为1333MT/s. 为了应用的灵活性, DDR3 SDRAM提供的四个模式寄存器作为用户定义的变量, 可设置多种功能, 特性以及模式, 必须通过模式寄存器设置 MRS命令进行编程. 由于模式寄存器 MR#的默认值是未定义, 模式寄存器的内容必须在上电和/或复位后进行完全初始化, 或重新初始化 例如写入, 以便正常工作. 此外, 在正常运作期间, 可以通过重新执行MRS命令来更改模式寄存器的内容. 在编程模式寄存器过程中, 即使用户选择仅修改MRS字段的子集, 也必须在发出MRS命令时重新定义模式寄存器中的所有地址字段. MRS命令和DLL复位不会影响阵列内容, 这些命令可以在上电后随时执行, 而不会影响阵列内容.

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VDD和VDDQ = 1.5V±0.075V标准电压

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VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V低电压 L, 向后兼容1.5V

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高速数据传输速率, 系统频率高达1066MHz

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8个内部存储单元, 并行运作

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8n-bit预取架构

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可编程CAS延迟

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可编程附加延迟 - 0, CL-1, CL-2

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可编程CAS WRITE延迟 CWL, 基于tCK

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可编程突发长度 - 4和8

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按序或交错可编程突发序列

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BL即时切换

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自动自刷新ASR

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自刷新温度 SRT

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部分阵列自刷新

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异步RESET引脚

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支持TDQS 终止数据选通 仅限x8

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OCD 片外驱动器阻抗调节

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动态ODT 片上端接

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RZQ/7, RZQ/6 RZQ = 240R 驱动器强度

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写入水平