IPB80P03P4L07ATMA1数据手册PDF_IPB80P03P4L07ATMA1中文资料-锐单商城

IPB80P03P4L07ATMA1概述

Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P03P4L07ATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀；符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

得捷:
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P03P4L07ATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

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