TPCP8604

TPCP8604 PNP+PNP复合三极管 -400V -300mA 140~450 PS-8 标记8604 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -400V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -400V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -300mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 35MHz Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 140~450 Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| -400mV Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 1100mW Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| Features • TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type • High breakdown voltage: VCEO = −400 V • High-Voltage Switching Applications Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 特点 •晶体管的硅NPN三重扩散台面型 •高击穿电压：VCEO=-400V •高电压开关应用 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| Description & Applications| 描述与应用|