IXFX80N50Q3

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列

HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。

快速本质整流器二极管

低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）

低本质栅极电阻

工业标准封装

低封装电感

高功率密度

得捷:
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3

欧时:
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFX80N50Q3, 80 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装

艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this IXFX80N50Q3 power MOSFET from Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 1250000 mW. This device is made with hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin3+Tab PLUS 247

DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247

Win Source:
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3 / N-Channel 500 V 80A Tc 1250W Tc Through Hole PLUS247™-3