EMG11 复合带阻尼三极管 -50V -100mA 0.15W SOT-563/EMT6 标记G11 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO Q1/Q2 | -50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO Q1/Q2 | -50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC Q1/Q2 | -100mA/-100MA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 2.2KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio | 0.047 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 2.2KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 47KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio | 0.047 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 截止频率fT Transtion FrequencyfT Q1/Q2 | 250MHz/250MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation Q1/Q2 | 150mW/0.15W Description & Applications | Features •Emitter common dual digital transistors •Two DTA123Js chips in a EMT or UMT or SMT package.. 描述与应用 | 特点 •发射极普通的（双数字晶体管） •的两个DTA123Js芯片在EMT或UMT或SMT封装.