PMN38EN

NXP  PMN38EN  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 30 V, 49.6 mohm, 10 V, 1.5 V

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5.4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.75W Description & Applications| N-channel TrenchMOS logic level FET General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in a plastic package using TrenchMOS technology. Logic level threshold Very fast switching Low threshold voltage Surface-mounted package 描述与应用| TrenchMOS逻辑电平N沟道FET 一般说明 逻辑电平N沟道增强型场效应（FET）在一个塑料 包装使用TrenchMOS技术 逻辑电平阈值 开关速度非常快 低阈值电压 表面贴装封装