IPB027N10N3 G

IPB027N10N3 G概述

INFINEON  IPB027N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.7 V

Summary of Features:

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Excellent switching performance
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World’s lowest R DSon
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Very low Q g and Q gd
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Excellent gate charge x R DSon product FOM
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RoHS compliant-halogen free
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MSL1 rated 2

Benefits:

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Environmentally friendly
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Increased efficiency
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Highest power density
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Less paralleling required
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Smallest board-space consumption
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Easy-to-design products
IPB027N10N3 G数据文档
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