BC847PN

BC847PN NPN+PNP复合三极管 50V/-50V 100mA/-100mA 200~450 SOT-363 标记1P 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 45V/-45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/-100mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 200~450 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW Description & Applications| Features • NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays • For AF input stage and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Two galvanic internal isolated NPN/PNP transistor in one package • Pb-free RoHS compliant package1 • Qualified according AEC Q101 描述与应用| 特点 •NPN / PNP硅AF阵列 •对于AF输入级和驱动器应用 •高电流增益 •低集电极 - 发射极饱和电压 •两个（电流）的内部分离NPN/ PNP晶体管在一个包 •无铅（符合RoHS）包1） •符合AEC Q101