IPB180P04P4L02ATMA1

INFINEON  IPB180P04P4L02ATMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀；符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

得捷:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB180P04P4L02ATMA1, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装

立创商城:
P沟道 40V 180A

艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this IPB180P04P4L02ATMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 150000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes optimos technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

安富利:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin6+Tab TO-263

Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R

Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V