IXGH6N170

IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，IXYS

### IGBT 分立元件和模块，IXYS

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

得捷:
IGBT 1700V 12A 75W TO247

欧时:
IXYS IXGH6N170 N沟道 IGBT, 6 A, Vce=1700 V, 3引脚 TO-247AD封装

贸泽:
IGBT Transistors 12 Amps 1700 V 4 V Rds

艾睿:
This IXGH6N170 IGBT transistor from Ixys Corporation will work perfectly in your circuit. Its maximum power dissipation is 75000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1700 V. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.