FQD6N40CTM

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD6N40CTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 400 V, 0.83 ohm, 10 V, 2 V

QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A， Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。

它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。

欧时:
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD6N40CTM, 4.5 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

富昌:
FQD6N40C 系列 400 V 1 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - TO 252-3

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.7A; 48W; DPAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD6N40CTM  MOSFET Transistor, N Channel, 4.5 A, 400 V, 0.83 ohm, 10 V, 2 V

Win Source:
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

DeviceMart:
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK