BSC076N06NS3 系列 60V 7.6 mOhm N沟道 OptiMOS™3 功率-晶体管-PG - TDSON-8
OptiMOS™3 功率 MOSFET,60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
快速切换 MOSFET,用于 SMPS
优化技术,用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道,逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM
极低导通电阻 R DSon
无铅电镀
得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC076N06NS3GATMA1, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Infineon Technologies&s; BSC076N06NS3GATMA1 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes optimos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
型号 | 品牌 | 下载 |
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BSC076N06NS3GATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC067N06LS3G | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC028N06NSATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC0909NSATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC059N04LSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC080N03LSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC0904NSIATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC050NE2LSATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
BSC090N03MSGATMA1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |