FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV304P 晶体管, MOSFET, P沟道, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mV
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -8V 最大漏极电流IdDrain Current| -460mA/-0.46A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.87Ω @-500mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.65--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGSth < 1.5V. Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model Compact industry standard SOT-23 surface mount package. 描述与应用| 非常低的水平栅极驱动要求可直接 操作在3V电路。 VGS（TH）<1.5V 门源齐纳ESD坚固。 >6kV人体模型 紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| FDV304P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDV301N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDV303N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDV302P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDV301N_NB9V005 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
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| FDV303N_NB9U008 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDV304P_NB8U003 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |