BFP720H6327XTSA1

Infineon BFP720H6327XTSA1 , NPN 晶体管, 25 mA, Vce=13 V, HFE:160, 4引脚 SOT-343封装

SiGe 射频双极，

来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 SiGe:C 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。

欧时:
Infineon BFP720H6327XTSA1 , NPN 晶体管, 25 mA, Vce=13 V, HFE:160, 4引脚 SOT-343封装

得捷:
RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343

e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, 160 hFE

艾睿:
This BFP720H6327XTSA1 RF amplifier from Infineon Technologies is designed to operate in high radio frequency input power situations and is perfect for a variety of applications. This RF transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

安富利:
Trans GP BJT NPN 4V 0.025A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 4V 0.025A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

Verical:
Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R

Win Source:
TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V SOT343