RN4982FE

RN4982FE概述

RN4982FE NPN+PNP复合带阻尼三极管 50V/-50V 100mA/-100mA HEF=50 R1=R2=10KΩ 100mW/0.1W SOT-563/ES6 标记6B 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 100mA/-100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 10KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 10KΩ/Ohm Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1 | 10KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2 | 10KΩ/Ohm Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 50 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHz/200MHz 耗散功率Pc Power Dissipation | 100mW/0.1W Description & Applications | Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP
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NPN Epitaxial Type PCT Process Bias Resistor Built-in Transistor • Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini 6-pin package. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact equipment and lowers assembly cost. Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. 描述与应用 | 特点 • 硅PNP NPN外延型(PCT工艺)(偏置电阻晶体管) •两个设备都纳入一个极端超迷你(6针)封装。 •将偏置电阻晶体管,减少了部件数量。减少部件数量,能够制造更加紧凑的设备和降低装配成本。 应用 •开关,逆变电路,接口电路和驱动器电路应用。
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RN4982FE

Toshiba 东芝

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RN4984T5L,F,T

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RN4982T5LFT

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RN4983T5L,F,T

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RN4987T5LFT

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RN4906,LFCT

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RN4982FE,LFCB

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