FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN306P 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -12 V, 40 mohm, -4.5 V, -600 mV
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -12V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.003Ω @-2.6A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.4--1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| • Fast switching speed • High performance trench technology for extremely low RDSON • SuperSOT TM -3 provides low RDSON and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint 描述与应用| •开关速度快 •高性能沟道技术极 低RDS（ON） •的SuperSOT TM-3提供低RDS（ON）和30％上 在相同的空间比SOT23封装的功率处理能力
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| FDN306P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDN372S | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDN340P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDN335N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDN338P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDN352AP | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDN358P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDN337N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDN327N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDN361BN | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
| FDN357N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |