IGP30N60H3

INFINEON  IGP30N60H3  单晶体管, IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-220, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

立创商城:
沟槽场截止 187W 600V 60A

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; Series: H3

儒卓力:
**IGBT 600V 60A 1.95V TO220-3 **

罗切斯特:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin3+Tab TO-220AB

DeviceMart:
IGBT 600V 60A 187W TO220-3