IPD60R1K4C6

IPD60R1K4C6概述

INFINEON  IPD60R1K4C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 600 V 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3


立创商城:
N沟道 600V 3.2A


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 600V 3,2A 1400mOhm TO252-3 **


力源芯城:
600V,3.2A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3


IPD60R1K4C6数据文档
型号 品牌 下载
IPD60R1K4C6

Infineon 英飞凌

下载
IPD640N06L G

Infineon 英飞凌

下载
IPD65R380C6

Infineon 英飞凌

下载
IPD60R380P6

Infineon 英飞凌

下载
IPD60R385CP

Infineon 英飞凌

下载
IPD60R450E6

Infineon 英飞凌

下载
IPD60R600CP

Infineon 英飞凌

下载
IPD60R950C6

Infineon 英飞凌

下载
IPD640N06LGBTMA1

Infineon 英飞凌

下载
IPD60R600CPBTMA1

Infineon 英飞凌

下载
IPD65R650CEATMA1

Infineon 英飞凌

下载

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台