硅外延平面型对于整流阳离子（平均）正向电流IF（AV）= 1.0 A整流阳离子低正向电压VF肖特基势垒二极管（SBD）
反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 1A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 380mV/0.38V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| Silicon epitaxial planar type For rectifi cation Forward current Average IFAV = 1.0 A rectifi cation is possible Low forward voltage VF Schottky Barrier Diodes SBD 描述与应用| 硅外延平面型 对于整流阳离子 （平均）正向电流IF（AV）= 1.0 A整流阳离子 低正向电压VF 肖特基势垒（SBD）
| 型号 | 品牌 | 下载 |
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| MA21D3400L | Panasonic 松下 | 下载 |
| MA215HT | Honeywell 霍尼韦尔 | 下载 |
| MA21D3800L | Panasonic 松下 | 下载 |
| MA21D380GL | Panasonic 松下 | 下载 |
| MA212-350M02 | Multicomp | 下载 |
| MA212-350M04 | Multicomp | 下载 |
| MA212-350M06 | Multicomp | 下载 |
| MA212-350M16 | Multicomp | 下载 |
| MA212-350M07 | Multicomp | 下载 |
| MA212-350M05 | Multicomp | 下载 |
| MA212-350M09 | Multicomp | 下载 |