BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHz
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 7V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | 最大漏极电流Id Drain Current | 30MA 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 耗散功率Pd Power dissipation | 0.2W 描述与应用 Description & Applications | n沟道双栅MOS-FETs 艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BF1101WR | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF1118W,115 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF1118WR,115 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF1118,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF1105R,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF1107,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF1108,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF1107,235 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF1109R,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF1101R,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BF1100R,235 | NXP 恩智浦 | 下载 |