RJP020N06FRAT100

晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 60 V, 0.165 ohm, 4.5 V, 1.5 V

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V

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最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V

最大漏极电流Id Drain Current| 2A

源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.24mA,@3A,4.5V

开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.5V

耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W

Description & Applications| 2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Low On-resistance. Low voltage drive 2.5V drive

描述与应用| 2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 低导通电阻。 低电压驱动（2.5V驱动器）