射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz
RF Mosfet LDMOS 30V 1.8A 1.99GHz 15.9dB 50W H-37260-2
得捷:
IC FET RF LDMOS 200W H-37260-2
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 MHz
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| PTFA192001F V4 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA212401F V4 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA240451E V1 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA212401F V4 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA241301F V1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA260851E V1 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA191001F V4 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA210601F V4 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA260851F V1 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA210601F V4 R250 | Infineon 英飞凌 | 下载 |
| PTFA211801E V4 | Infineon 英飞凌 | 下载 |