TEXAS INSTRUMENTS CSD17551Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1.7 V
NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。
RθJA=41.9°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸26.45cm2，
2 盎司（厚度为 0.071mm）铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| CSD17551Q5A | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD16301Q2 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17308Q3 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD163CEVM-591 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17483F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD13381F4T | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17483F4T | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD13381F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD13383F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17381F4 | TI 德州仪器 | 下载 |
| CSD17484F4 | TI 德州仪器 | 下载 |