VISHAY IRLR110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 100 V, 540 mohm, 5 V, 2 V
The is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The DPAK is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
型号 | 品牌 | 下载 |
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IRLR110PBF | Vishay Semiconductor 威世 | 下载 |
IRLR120NTRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | 下载 |
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