IKW25N120T2FKSA1数据手册PDF_IKW25N120T2FKSA1中文资料-锐单商城

IKW25N120T2FKSA1概述

INFINEON IKW25N120T2FKSA1 单晶体管, IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V

极低 VCEsat

低关闭损耗

短尾线电流

低 EMI

最高接点温度 175°C

得捷:
IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3

欧时:
Infineon IKW25N120T2FKSA1 N沟道 IGBT, Vce=1200 V, 50 A, 3引脚 TO-247封装

e络盟:
INFINEON IKW25N120T2FKSA1 单晶体管, IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

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