3SK126-O N沟道MOSFET 15V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UC 高级交叉调制性能/低反向传输电容/低噪声增益控制放大器系数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 15V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 9V 最大漏极电流Id Drain Current| 30mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| -1-1/-0.5-1 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON A CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE Features Silicon N-Channel MOS FET TV TUNER,VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS TV TUNER VHF MIXER APPLICATIONS Superior cross modulation performance Low reverse transfer capacitance Low noise figure 描述与应用| 场效应晶体管的硅频道双栅MOS型 特性 硅N沟道MOS FET 电视调谐器，甚高频射频放大器应用 电视调谐器甚高频混频器应用 高级交叉调制性能 低反向传输电容 低噪声系数