BSP299H6327XUSA1

BSP299H6327XUSA1概述

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET

SIPMOS® N 通道 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


得捷:
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4


欧时:
### Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 400 mA, 3.1 ohm, SOT-223, 表面安装


艾睿:
This BSP299H6327XUSA1 power MOSFET from Infineon Technologies can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 1800 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with sipmos technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A 4-Pin SOT-223 T/R


富昌:
BSP299 系列 500 V 4 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管 - SOT-223


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.4A; 1.8W; SOT223


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223


BSP299H6327XUSA1数据文档
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