STY112N65M5

STMICROELECTRONICS  STY112N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 96 A, 650 V, 0.019 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

### MOSFET ，STMicroelectronics

得捷:
MOSFET N-CH 650V 96A MAX247

欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STY112N65M5, 96 A, Vds=650 V, 3引脚 Max247封装

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, 通孔

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin3+Tab Max247 Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin3+Tab Max247 Tube

富昌:
MAX247、650 V、 0.022OH、N沟道

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin3+Tab Max247 Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin3+Tab Max247 Tube