STGB10NB37LZT4

IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGBT 分立，STMicroelectronics

得捷:
IGBT 440V 20A 125W D2PAK

欧时:
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立创商城:
125W 440V 20A

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This STGB10NB37LZT4 IGBT transistor from STMicroelectronics will work perfectly in your circuit. It has a maximum collector emitter voltage of 440 V. Its maximum power dissipation is 125000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

富昌:
STGB10NB37LZ 系列 410 V 10 A 法兰安装 内部 嵌位 IGBT - D2PAK

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

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Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

DeviceMart:
IGBT N-CHAN 20A CLAMP D2PAK

Win Source:
IGBT 440V 20A 125W D2PAK