BFG505

BFG505 NPN三极管 20V 18mA 9Ghz 120~250 SOT-143 marking/标记 WME 高功率增益 低噪声系数

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 15V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 18mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 9Ghz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| • NPN 9 GHz wideband transistors • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. RF front end applications in the GHz range, such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones CT1, CT2, DECT, etc., radar detectors, pagers and satellite TV tuners SATV 描述与应用| •NPN9 GHz的宽带晶体管 •高功率增益 •低噪声系数 •高转换频率 •黄金金属确保卓越的可靠性。 RF前端应用在GHz范围内，如 模拟和数字蜂窝电话，无绳电话 （CT1，CT2，DECT等），雷达探测器，寻呼机和 卫星电视调谐器（SATV）。