TPC6104

TPC6104 P沟道MOS场效应管 -20V -5.5A 0.033ohm SOT-163 marking/标记 S3D 便携式设备应用 低漏电流

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -5.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.033Ω @-2.8A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.5--1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 2.2W Description & Applications| Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Low drain-source ON resistance: RDS ON = 48 mΩ typ. High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.2 S typ. Low leakage current: IDSS = −10 µA max VDS = −20 V Enhancement-model: Vth = −0.5 to −1.2 V VDS = −10 V, ID = −200 µA 描述与应用| 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 低漏源导通电阻RDS（ON）= 48mΩ（典型值） 高正向转移导纳：| YFS|= 8.2 S（典型值） 低漏电流：IDSS= -10μA（最大）（VDS=-20 V） 增强模式：VTH =-0.5至-1.2 V（VDS= -10 V，ID= -200μA）