BSH112 N沟道MOSFET 60V 300mA/0.3A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK1 防止过高的输入电压浪涌门和源之间的集成二极管
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 15V 最大漏极电流Id Drain Current| 300mA/0.3A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 830mW/0.83W Description & Applications| TrenchMOS™ technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes 描述与应用| 开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 门源的ESD保护二极管
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BSH112 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH121,135 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH14-D | Panduit 泛达 | 下载 |
| BSH103,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH105,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH114,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH108,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH111,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH111,235 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH18-Q | Panduit 泛达 | 下载 |
| BSH10-E | Panduit 泛达 | 下载 |