UPA1952TE

UPA1952TE 复合场效应管 -20V 2A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 TP 电源开关 1.8V驱动

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| 2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 135mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -1000mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.45~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 570mW/0.57W Description & Applications| P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The μPA1952 is a switching device which can be driven directly by a 1.8 V power source. This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES • 1.8 V drive available • Low on-state resistance RDSon1 = 135 mΩ MAX. VGS = −4.5V, ID = −1.0 A RDSon2 = 183 mΩ MAX. VGS = −2.5 V, ID = −1.0 A RDSon3 = 284 mΩ MAX. VGS = −1.8 V, ID = −0.5 A 描述与应用| P沟道MOS场效应晶体管说明 的的μPA1952是可驱动的开关装置 直接由1.8 V电源。 该器件具有低通态电阻和优良的 的开关特性，以及适合的应用，如 便携机的电源开关等。 特点 •1.8 V可驱动 •低通态电阻 RDS（on）1 =135mΩ最大。 （VGS=4.5V，ID= -1.0） RDS（on）= 183mΩ最大。 （VGS= -2.5 V，ID=-1.0 A） RDS（on）=284mΩ最大。 （VGS=-1.8 V，ID=-0.5 ）