IRGP6650DPBF

IGBT 超过 21A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT

单 IGBT 超过 21A，

优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT

得捷:
IGBT 600V 80A 306W TO247AC

欧时:
### 单 IGBT 超过 21A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。

贸泽:
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT TO-247

e络盟:
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.65 V, 306 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin TO-247AC Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 80A; 306W; TO247-3

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin3+Tab TO-247AC Tube

Newark:
# INFINEON  IRGP6650DPBF  IGBT Single Transistor, 80 A, 1.65 V, 306 W, 600 V, TO-247AC, 3