FP35R12KT4B15BOSA1数据手册PDF_FP35R12KT4B15BOSA1中文资料-锐单商城

FP35R12KT4B15BOSA1概述

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module

Summary of Features:

.: Low Switching Losses

.: Low VCEsat

.: Tvj op = 150°C

.: VCEsat with positive Temperature Coefficient

.: High Power and Thermal Cycling Capability

.: Copper Base Plate

.: Solder Contact Technology

.: Standard Housing

Benefits:

.: Compact module concept

.: Optimized customer’s development cycle time and cost

.: Configuration flexibility

FP35R12KT4B15BOSA1详细参数

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