RTQ045N03 N沟道MOSFET 30V 4.5A SOT-163/TSMT6/SOT23-6 marking/标记 QM
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 4.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 60mΩ@ VGS =2.5V, ID =4.5A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5~1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 2W Description & Applications| Features 1 Low on-resistance. 2 Built-in G-S Protection Diode. 3 Small and Surface Mount Package TSMT6 . Application Power switching, DC / DC converter. 描述与应用| 特点 1）低导通电阻。 2）内置G-S的保护二极管。 3）小和表面贴装封装（TSMT6）。 应用 电源开关，DC / DC变换器。
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| RTQ045N03 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
| RTQ035N03TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 下载 |
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