BSO200P03SHXUMA1

Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO200P03SHXUMA1, 7.4 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀；符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

得捷:
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

立创商城:
P沟道 30V 7.4A

欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO200P03SHXUMA1, 7.4 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装

艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this BSO200P03SHXUMA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 15600 mW. This device is made with optimos technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-Pin DSO Dry

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.4A; 1.56W; PG-DSO-8

Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 7.4A Automotive 8-Pin DSO T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO