RJH60F5DPQ-A0#T0

RENESAS  RJH60F5DPQ-A0#T0  单晶体管, IGBT, 80 A, 1.7 V, 260.4 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

The is a 40A 600V IGBT through-hole 1-channel mounting high-speed Power Switching with low collector to emitter saturation voltage. It has trench gate and thin wafer technology.

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Built-in FRD configuration

得捷:
IGBT 600V 80A 260.4W TO247A

欧时:
IGBT 分立，Renesas Electronics### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260400mW 3-Pin3+Tab TO-247A

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260400mW 3-Pin3+Tab TO-247A

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 260400mW 3-Pin3+Tab TO-247A

Win Source:
IGBT 600V 80A 260.4W TO247A / IGBT Trench 600 V 80 A 260.4 W Through Hole TO-247A