CSD17551Q3A数据手册PDF_CSD17551Q3A中文资料-锐单商城

CSD17551Q3A概述

30V N 通道 MOSFET

本示例中使用的 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 48°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸26.45cm2，

2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

.: 超低 Qg 和 Qgd

.: 低热阻

.: 雪崩额定值

.: 无铅

.: 符合 RoHS 环保标准

.: 无卤素

.: 小外形尺寸无引线 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

## 应用范围

.: 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压

.: 针对控制场效应 FET 应用进行了优化

CSD17551Q3A详细参数

CSD17551Q3A数据文档

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