HB 系列 650 V 60 A 高速 沟槽栅场截止 IGBT - TO-247
IGBT 分立,STMicroelectronics
得捷:
IGBT 650V 80A 375W TO247
贸泽:
IGBT 晶体管 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube
富昌:
HB Series 650 V 60 A High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247
Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A Tube
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
型号 | 品牌 | 下载 |
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STGW60H65FB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGW20H60DF | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGW35HF60W | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT30H65FB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT30H60DFB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGW19NC60W | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT40H60DLFB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT40H65DFB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGW30H60DFB | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT20H60DF | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |
STGWT30V60F | ST Microelectronics 意法半导体 | 下载 |