IGT60R190D1SATMA1

IGT60R190D1SATMA1概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 600 V, 0.14 ohm, 1.2 V

表面贴装型 N 通道 600 V 12.5A(Tc) 55,5W(Tc) PG-HSOF-8-3


得捷:
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF


欧时:
Infineon MOSFET IGT60R190D1SATMA1


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 12.5 A, 0.14 ohm, HSOF, 表面安装


艾睿:
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin8+Tab HSOF T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin8+Tab HSOF T/R


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