SIA427DJ-T1-GE3数据手册PDF_SIA427DJ-T1-GE3中文资料-锐单商城

SIA427DJ-T1-GE3概述

VISHAY SIA427DJ-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -8 V, 0.037 ohm, -1.2 V, 350 mV

The is a 8VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.

.: New thermally enhanced PowerPAK® package

.: Small footprint area

.: Low ON-resistance

.: 100% Rg tested

.: Halogen-free

.: -55 to 150°C Operating temperature range

SIA427DJ-T1-GE3详细参数

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