BSH207 P沟道MOS场效应管 -12V -152mA 0.08ohm SOT-163 marking/标记 A1 低开启电压 快速开关
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -12V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.152A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.08Ω @-1A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率PdPower Dissipation| 417mW/0.417W Description & Applications| • Low threshold voltage VDS = -30 V • Fast switching • Logic level compatible ID = -0.52 A • Subminiature surface mountpackage 描述与应用| •低阈值电压VDS=-30 V •快速开关 •逻辑电平兼容ID=-0.52 •表面mountpackage微型
| 型号 | 品牌 | 下载 |
|---|---|---|
| BSH207 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH201,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH202 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH205 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH205,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH205G2 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH207,135 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH203 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH203,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH202,215 | NXP 恩智浦 | 下载 |
| BSH205G2R | NXP 恩智浦 | 下载 |