10V驱动N沟道MOSFET硅N沟道MOSFET低导通电阻。开关速度快。宽安全工作区（SOA）低电压驱动。轻松驱动电路设计。易于并联使用
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 8A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.15Ω/Ohm @4A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.0-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 20W Description & Applications| 10V Drive Nch MOSFET Silicon N-channel MOSFET Features Low on-resistance. Fast switching speed. Wide SOA safe operating area. Low-voltage drive. Easily designed drive circuits. Easy to use in parallel. 描述与应用| 10V驱动N沟道MOSFET 硅N沟道MOSFET 低导通电阻。 开关速度快。 宽安全工作区（SOA） 低电压驱动。 轻松驱动电路设计。 易于并联使用