FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV303N 晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV
公司的是一个表面安装的N沟道逻辑电平加强模式数字FET, SOT-23封装. 此设备具有高密度, DMOS技术, 量身设计以最小化通导电阻并保持低栅极驱动条件. 甚至当栅极驱动电压低至2.5V时, 此设备具有卓越的通导电阻, 设计用于电池电路, 电路可采用一块锂电池,或三个镉电池,或NHM电池, 另有逆变器, 高效微型离散直流/直流转换器位于如移动电话和传呼机等电子设备.
| 型号 | 品牌 | 下载 |
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| FDV303N | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
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| FDV302P | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
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| FDV301N_NB9V005 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
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| FDV303N_NB9U008 | Fairchild 飞兆/仙童 | 下载 |
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