ZXM62P02E6TA

ZXM62P02E6TA P沟道MOS场效应管 -20V -2.3A 200毫欧 SOT-163 marking/标记 2P02 高速开关 低导通电阻 DC/DC转换应用

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 200mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 1.6A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.7V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.1W Description & Applications| DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. FEATURES · Low on-resistance · Fast switching speed · Low threshold · Low gate drive · SOT23-6 package APPLICATIONS · DC - DC Converters · Power Management Functions · Disconnect switches · Motor control 描述与应用| 说明 Zetex的新一代高密度的MOSFET采用了独特​​的 结构，结合快速开关的低导通电阻的好处 速度。这使得它们成为理想的高效率，低电压，功率 管理应用程序。 特点 ·低导通电阻 ·快速开关速度 ·低门槛 ·低栅极驱动器 ·SOT23-6封装 应用 ·DC - DC转换器 ·电源管理功能 ·隔离开关 ·电机控制